| PART |
Description |
Maker |
| LA7205M |
AGC AMP, INPUT SELECT, AGC DET, COMPARATOR
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SANYO[Sanyo Semicon Device]
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| NJU26102 |
Eala / BBE ViVA / ViVA / ViVA2 / Mach3Bass / QFP32-R1
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JRC
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| SML9030-T254 SML9030T254 |
P-Channel MOS Transistor(Vdss:-50V,Id(cont):-18A,Rds(on):0.14Ω)(P沟道MOS晶体Vdss:-50V,Id(cont):-18A,Rds(on):0.14Ω))
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Semelab(Magnatec)
TT electronics Semelab Limited
Seme LAB
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| AS1329B-BTTT |
Low Vol tage, Micropower, DC-DC Step-Up Conver ters
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ams AG
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| IRFM250 |
N-Channel Power MOSFET(Vdss:200V,Id(cont):27.4A,Rds(on):0.100Ω)(N沟道功率MOS场效应管(Vdss:200V,Id(cont):27.4A,Rds(on):0.100Ω)) N沟道功率MOSFET（减振钢板基本：200伏，身份证（续）7.4A，的Rds（on）：0.100Ω）（不适用马鞍山沟道功率场效应管（减振钢板基本00伏，身份证（续）7.4A时，RDS（对）：0.100Ω））
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Electronic Theatre Controls, Inc.
SEME-LAB
Seme LAB
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| MM1124 MM1124B MM1124A MM1124C |
BASS AMPLIFIER
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Mitsumi Electronics, Corp.
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| TS-WX105A |
Bass Reflex Active Subwoofer
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Pioneer
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| W83L784R |
Notebook H/W Monitor: 3 Temp.(Thermal Diode), 4 Vol., 2 Smart Fan, PWR OK, PWR Down Mode
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Winbond Electronics
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| PT2389-S PT2389-SN |
5-Mode Preset Equalizer IC with Bass Booster & 3D Effect
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Princeton Technology Corporation
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| IRFE9130 |
P-Channel Power MOSFET(Vdss:-100V,Id(cont):-6.1A,Vdgr:-0.345V)(P沟道功率MOS场效应管(Vdss:-100V,Id(cont):-6.1A,Vdgr:-0.345V)) P沟道功率MOSFET（减振钢板基本：- 100V的，身份证（续） 6.1A，Vdgr 0.345V）性（P沟道功率马鞍山场效应管（减振钢板基本 100V的，身份证（续） 6.1AVdgr 0.345V））
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Seme LAB
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