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Osram Opto Semiconductors
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| Part No. |
LT5433
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| OCR Text |
durch LV 543C ersetzt werden LV 5433 obsolete acc. to PD_078_02 - will be replaced by LV 543C
Besondere Merkmale * Gehausetyp: klares 5 mm (T1 3/4) Gehause * Besonderheit des Bauteils: enge Abstrahlcharakteristik * Wellenlange: 470 nm (b... |
| Description |
Hyper Bright LED
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http://
Diotec Elektronische
DIOTEC[Diotec Semiconductor]
Diotec Semiconductor AG
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| Part No. |
3EZ82 3EZ8.2 3EZ51 3EZ1 3EZ10 3EZ100 3EZ11 3EZ110 3EZ12 3EZ120 3EZ13 3EZ130 3EZ15 3EZ150 3EZ16 3EZ160 3EZ18 3EZ180 3EZ200 3EZ22 3EZ24 3EZ27 3EZ30 3EZ33 3EZ36 3EZ39 3EZ43 3EZ47 3EZ56 3EZ6.2 3EZ6.8 3EZ62 3EZ68 3EZ7.5 3EZ75 3EZ9.1 3EZ91 DIOTECSEMICONDUCTORAG-3EZ110 DIOTECSEMICONDUCTORAG-3EZ9.1 3EZ20
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| OCR Text |
...etriebene Einzelchip-Diode. Die durch den Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden. 216 28.02.2002
3EZ 1 ... 3EZ 200 (3 W) Maximum ratings
Type Typ Zener voltage 2) Zener-Spanng.2) IZ = IZtest VZmin [V] VZmax Test ... |
| Description |
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) 8.2 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AC
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) 6.2 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AC
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) 43 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AC
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) 47 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AC
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) 74.5 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AC
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) 62 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AC
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SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| Part No. |
SFH464E7800 SFH464 Q62702-Q1745
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| OCR Text |
...nen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdruckt. durch dieses, der Anwendung entsprechende Meverfahren ergibt sich fur den Anwender eine besser verwertbare Groe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag "E 780... |
| Description |
GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm 发动器，Lumineszenzdiode 660纳米发光二极管的GaAIAs 660纳米
From old datasheet system
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Siemens Semiconductor G...
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
Siemens Group
SIEMENS AG
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| Part No. |
LD242E7800 Q62703-Q3509 LD242 LD242-2 LD242-3 Q62703-Q198 Q62703-Q199
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| OCR Text |
...nen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdruckt. durch dieses, der Anwendung entsprechende Meverfahren ergibt sich fur die Anwender eine besser verwertbare Groe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag "E 780... |
| Description |
GaAs Infrared Emitter
DSUB 11X1 M PCB G30 砷化镓红外发射器
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ETC[ETC]
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| Part No. |
8255PPI
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| OCR Text |
...Interruptfreigabe des 8255 wird durch ein internes INTE-Flip-Flop organisiert, welches durch Einzelbit Set/Reset-Operationen von Port C aus beeinflut werden kann. - Bit-Set = Interrupt Freigabe - Bit-Reset = Interrupt Sperre Die entsprechen... |
| Description |
PROGRAMMIERBARER PARALLELER INTERFACESCHALTKREIS
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